据知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士正筹划在日本东北部宫城县建设一座大型存储芯片生产工厂。
如果这一投资项目落实，这将是韩国半导体企业首次在日本大规模投资设立生产基地——不过公司尚未官方宣布这一消息，具体投资规模和选址也可能仍有变数。
SK海力士考虑赴日投资建厂
据韩媒报道，SK海力士正在评估于日本本州岛东北地方的宫城县建设存储芯片工厂。一名业界消息人士称：“据了解，SK集团会长崔泰源近期曾亲自到访过该地区。”
宫城县与九州、北海道并列，是日本政府重点打造的三大半导体产业中心。
此次投资规模初步讨论为数十万亿韩元（约合数百亿美元），不过相较于SK海力士在韩国本土的龙仁和湖南地区（Honam Region）半导体产业集群数百万亿韩元级别的投入，宫城工厂的生产规模预计会相对偏小。
SK海力士将按原计划推进韩国本土产业集群建设，宫城工厂则将作为新增海外生产据点，此举被视作在全球存储芯片供应紧张背景下抢占先机的产能扩张布局。
若该计划落地，SK海力士将成为继美光与中国台湾台积电之后，第三家在日本本土运营半导体制造工厂的海外企业。韩国另一大存储巨头三星电子目前仅在日本横滨设有下一代半导体的封装研究所。
SK海力士方面对于这一消息表态谨慎，仅回应称：“任何具备配套基础设施的地区都可能纳入评估范围，但关于在日本建厂以及具体选址，尚未做出任何决定。”
投资项目落地仍面临多重阻碍
为应对AI服务器、企业存储对高带宽内存（HBM）日益增长的市场需求，SK海力士正持续加大投资，近期已敲定在韩国清州新建NAND闪存工厂，并重启中国大连NAND闪存生产基地2号工厂的建设。
而与此同时，日本政府也正着力重建本国半导体供应链，已向九州、北海道、宫城县投放大额补贴。宫城县所属的日本东北地区聚集大量半导体材料与设备厂商，电力配套完善，产业工人储备充足，因此成为SK海力士海外建厂的热门候选地。
但这项投资落地目前仍面临多重阻碍。
首先，美国正持续施压韩国政府及本土企业赴美建设存储工厂，一旦SK海力士对日投资落地，或将进一步倒逼美方提出扩大在美国本土建厂的诉求，这是一大核心风险。
第二，韩国国内舆论对战略半导体领域赴日投资抱有戒备心理，叠加政治层面的不确定性，也构成变量。
市场分析人士表示，短期来看，该计划有利于SK海力士实现全球生产网络多元化。倘若敲定宫城选址，SK海力士可以更好对接日本的材料与设备供应链，缓解产能过度集中于单一地区的风险。
但鉴于SK海力士尚未发布官方公告，投资规模、建设时间均未敲定，部分分析师认为，数十万亿韩元的投资计划以及宫城县的选址仍有待进一步观察。
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